द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर के प्रकार

अर्धचालक

सेमीकंडक्टर्स अपने जीवन को बहुत शुद्ध सिलिकॉन 3 डी लैटिस के रूप में शुरू करते हैं - प्रत्येक सिलिकॉन परमाणु के साथ सिलिकॉन परमाणुओं के साथ स्थिति में बंद होने के साथ बहुत क्रिस्टलीय। ये वेफर्स शुद्ध सिलिकॉन से बने होते हैं और फिर सावधानीपूर्वक चुने गए एक शुद्ध शुद्ध गैस से भरा भट्ठी में पकाया जाता है। गैस का एक हिस्सा कुछ सिलिकॉन परमाणुओं को प्रतिस्थापित करेगा। अगर परमाणु में अधिक इलेक्ट्रॉन होते हैं तो सिलिकॉन परमाणु का प्रतिस्थापन एक मुक्त इलेक्ट्रॉन होता है और इस प्रकार के नकारात्मक अर्धचालक को कॉल करता है। गैस परमाणुओं कि वेफर हड़ताल एक इलेक्ट्रॉन एक सिलिकॉन परमाणु की तुलना में कम है, तो वेफर इलेक्ट्रॉनों की एक जोड़ी का अभाव है और सकारात्मक कहते हैं कि यह एक अर्धचालक है। अर्धचालक नकारात्मक अर्धचालक के मामले में एन-टाइप कहा जाता है और हमें मुफ्त इलेक्ट्रॉन बताता है। एक अर्धचालक को सकारात्मक प्रकार पी कहा जाता है और हमें बताता है कि इसमें छेद हैं। इलेक्ट्रिक प्रवाह सेमीकंडक्टर्स के माध्यम से इलेक्ट्रॉन आंदोलन या छेद आंदोलन दोनों के माध्यम से गुजर सकता है, इसलिए द्विध्रुवीय ट्रांजिस्टर के लिए दो वाहक होते हैं: इलेक्ट्रॉन और छेद। एन और पी प्रकार के अर्धचालक बनाने की प्रक्रिया को "डोपिंग" कहा जाता है।

पीएनपी ट्रांजिस्टर

पीएनपी ट्रांजिस्टर के पास पी-प्रकार सिलिकॉन डॉपड की दो मोटी परतों के बीच एक पतली एन-प्रकार सिलिकॉन परत होती है। एन परत आधार है और अन्य दो परतें उत्सर्जक हैं और तीन शाखाओं वाले घटक के संग्राहक हैं। जब स्विच के रूप में उपयोग किया जाता है, तो पीएनपी ट्रांजिस्टर "इन" (उत्सर्जक से कलेक्टर तक वर्तमान प्रवाह) होता है जब बेस एमिटर की तुलना में कम होता है। एम्पलीफायर के रूप में कार्य करने के लिए, बेस एमिटर की तुलना में कम रहना चाहिए, फिर एक कमजोर सिग्नल उत्सर्जक से कलेक्टर तक एक मजबूत सिग्नल के नियंत्रण के आधार पर होना चाहिए।


एनपीएन ट्रांजिस्टर


एनपीएन ट्रांजिस्टर में पी-प्रकार सिलिकॉन की पतली परत होती है जो एन-प्रकार सिलिकॉन की दो मोटी परतों के बीच होती है। पी आधार परत है और अन्य दो परतें उत्सर्जक और तीन शाखाओं के साथ एक घटक के संग्राहक हैं। जब स्विच के रूप में उपयोग किया जाता है, तो एनपीएन ट्रांजिस्टर "इन" (उत्सर्जक से कलेक्टर तक वर्तमान प्रवाह) होता है जब बेस एमिटर के संबंध में उच्च होता है। एक एम्पलीफायर के रूप में कार्य करने के लिए, बेस को उत्सर्जक से अधिक होना चाहिए, फिर बेस मॉनिटर पर एक कमजोर सिग्नल उत्सर्जक से कलेक्टर तक एक मजबूत सिग्नल होता है।

द्विध्रुवीय heterojunction ट्रांजिस्टर

द्विध्रुवीय हेटरोज़ंक्शन ट्रांजिस्टर (एचबीटी) पीएनपी और एनपीएन ट्रांजिस्टर के समान होते हैं, सिवाय इसके कि मध्य (आधार) परत पतली और अधिक खुली होती है। एचबीटी का उपयोग केवल प्रवर्धन (कभी भी स्विच नहीं) के लिए किया जाता है और बहुत अधिक आवृत्तियों पर अच्छी तरह से काम करता है - कई सौ गीगाहर्ट्ज तक। एचबीटी आमतौर पर सिलिकॉन या पीएनपी और एनपीएन ट्रांजिस्टर जैसे जर्मेनियम के बजाय एल्यूमीनियम गैलियम आर्सेनाइड से बना होता है।

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